国家高技术研究发展计划(2006AA03A103)
- 作品数：10 被引量：13H指数：2
- 相关作者：谢自力韩平郑有炓张荣刘斌更多>>
- 相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自然科学总论一般工业技术更多>>
- GaN/Al2O3（0001）上Ge薄膜的CVD外延生长
- 由于 GaN 和 Ge 之间带隙宽度相差很大(～2.7eV),Ge/GaN 异质结可用于宽波段太阳能电池、背照式双色探测器和异质结双极性晶体管(HBT)等器件的研制。在 HBT 器件中,异质结材料较大的带宽差异可以获得较...
- 王荣华韩平曹亮王琦梅琴夏冬梅谢自力陆海陈鹏顾书林张荣郑有炓
- 关键词：GANINNCVD
- 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
- 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO（100）面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错...
- 宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓
- 关键词：GAN位错X射线衍射
- InN薄膜MOCVD生长初期成核研究与应力分析
- 本文系统研究了利用金属有机化学气相沉积生长非故意掺杂 InN 薄膜的初期成核与应力变化过程。InN 生长采用宝石衬底,控制 GaN 缓冲层上 InN 外延层生长时间,以得到处于不同生长阶段的样品。通过表面形貌与扫描电镜能...
- 张曾张荣谢自力刘斌修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓
- 关键词：INNMOCVD应力分析
- Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
- 利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相...
- 谢自力张荣崔旭高陶志阔修向前刘斌李弋傅德颐张曾宋黎红崔影超韩平施毅郑有炓
- 关键词：金属有机物化学气相沉积稀磁半导体锰掺杂X射线衍射
- m面GaN平面内结构和光学各向异性研究被引量：1
- 2008年
- 采用金属有机物化学气相淀积方法在铝酸锂LiAlO2衬底上外延生长m面GaN薄膜.X射线衍射测量的结果表明所得薄膜具有较理想的m面晶体取向,并对其各向异性的应变进行了计算,摇摆曲线的测量发现样品存在明显的面内结构各向异性.采用偏振光致发光研究材料的面内光学各向异性,发现随着偏振角度的改变,发光峰的峰位和强度均有明显变化,并用对称性破缺导致价带子带劈裂的理论对结果进行了解释.
- 吴超谢自力张荣张曾刘斌李弋傅德颐修向前韩平施毅郑有炓
- 生长温度对AlGaInN的MOCVD生长的影响
- 利用有机物化学气相沉积外延(MOCVD)的方法在 c 面氮化镓(GaN)支撑层上外延生长铝镓铟氮(AlGaInN)四元合金。高分辨 x 射线衍射(HRXRD)分析表明随着生长温度提高 AlGaInN 的晶体质量提高,在9...
- 刘启佳张荣谢自力刘斌徐峰聂超郑有炓
- 关键词：MOCVDHRXRDCL
- Mg掺杂AlGaN的特性研究被引量：1
- 2008年
- 采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射线衍射摇摆曲线与原子力显微镜扫描表明随Mg摩尔掺杂浓度增加,样品晶体质量下降,样品表面凹坑增加,但热退火对薄膜表面形貌有明显的改善。阴极射线发光测量发现带边峰强度随掺杂浓度增加而减弱,退火后样品的施主-受主对复合发射与导带受主的复合发射均有增强,验证了热退火对钝化受主杂质的激活作用,对实现高效AlGaN的p型掺杂具有重要意义。
- 吴超谢自力张荣张曾刘斌刘启佳聂超李弋韩平陈鹏陆海郑有炓
- 关键词：热退火表面形貌阴极射线发光
- 4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
- 研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的（0001）Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的S...
- 陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平
- 关键词：4H-SIC肖特基二极管势垒高度
- AlxGa1-xN/AIN超晶格材料的结构和光学特性
- 随着三族氮化物(AlN,GaN,InN)在蓝绿光和紫外光电子器件领域的广泛应用,垂直共振腔结构被用来提高器件的量子效率。高反射率的 GaN 基分布式布拉格反射镜 (Distributed Bragg Reflctors)...
- 谢自力张荣江若琏刘斌姬小利龚海梅赵红修向前韩平施毅郑有炓
- 关键词：ALGAN光学特性
- MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质
- 高质量的 InN 材料的带隙宽度在0．7 eV,对应光谱波长位于红外区,这就使Ⅲ族氮化物 (InN、GaN、AlN)及其合金的带隙宽度对应的光谱覆盖了从红外到紫外范围。因此,InN 及其含 In 组分的合金(InGaN,...
- 谢自力张荣江若琏修向前刘斌赵红朱顺民韩平施毅顾书林郑有炓
- 关键词：INN光学性质MOCVD
