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陕西省重大科技创新专项计划项目(2004K07-Gg)
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相关作者:
陈治明
张群社
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大直径6H-SiC晶体PVT法生长感应加热系统有限元分析
2007年
采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及生长晶体温度场的影响;分析比较了线圈取不同匝间距时晶体生长面径向温度梯度的变化.结果表明,在中频电源的输出功率和频率固定,盲孔内径不变的情况下,通过适当调整线圈匝间距和高度可以减小晶体生长面径向温度梯度,提高晶体的质量,同时又有比较高的生长率.
张群社
陈治明
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