熊壮
- 作品数：72 被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程电气工程更多>>
- 一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法
- 一种SOI？MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法，包括在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在SOI硅片结构层表面溅射金属铝；在SOI硅片结构层表面光刻，定义出MEMS结构图形；腐蚀SOI硅片结构层...
- 张照云唐彬苏伟陈颖慧彭勃高扬熊壮
- 一种基于五层SOI硅片的MEMS单片集成方法
- 本发明公开了一种基于五层SOI的MEMS单片集成方法，包括：在硅片上采用标准的SOI CMOS工艺完成集成电路部分的制作；在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分；在硅片背面光刻，刻蚀背面硅至绝缘层，并刻蚀暴露出的绝缘层；在硅...
- 张照云唐彬苏伟陈颖慧彭勃高扬熊壮
- 基于HNA溶液腐蚀的微半球谐振陀螺研究进展被引量：1
- 2020年
- 基于微电子机械系统(MEMS)加工技术的微半球谐振陀螺在吸收了传统半球陀螺全角测量优势的同时具有体积小,质量轻,成本低以及适合批量化生产的特点。在使用牺牲层法来制备微半球壳层结构的过程中,如何在单晶硅上制作一个表面光滑的、结构整体对称性高的半球型模具对于半球谐振子的性能有决定性的影响。在HNA(氢氟酸、硝酸、醋酸)各向同性腐蚀液制作微半球谐振子模具的原理基础上,介绍基于HNA溶液各向同性腐蚀的微半球谐振陀螺研究进展,指出了各向同性腐蚀工艺目前所面临的主要技术问题,并对此提出了一些可能的解决途径。
- 郑显泽唐彬王月熊壮
- 关键词：单晶硅
- 一体式石英双振梁加速度计及制备方法
- 本发明的实施例公开了一种一体式石英双振梁加速度计及制备方法，该一体式石英双振梁加速度计包括：一体成型的装配区、挠性梁、振梁、质量块及金属电极，质量块通过挠性梁及振梁连接于装配区；挠性梁的上表面与质量块上表面之间的距离等于...
- 张照云唐彬刘显学苏伟高彩云沈朝阳熊壮许蔚彭勃
- 一种熔石英悬臂梁-质量块结构及其加工方法
- 本发明涉及微电子机械系统微加工技术领域，本发明公开一种熔石英悬臂梁‑质量块结构及其加工方法。加工方法包括以下步骤：根据悬臂梁‑质量块结构的图形，采用超快激光切割加工熔石英基片，在熔石英基片上形成上下贯穿的切割通道；清洗熔...
- 张照云沈朝阳王颉熊壮赵宝林刘振华王旭光屈明山郭建宏魏云川
- MEMS环形谐振器椭圆模态中的锚损分析（英文）
- 2016年
- 环形谐振器是微机电系统(MEMS)谐振器中典型结构之一。其中,椭圆模态是环形谐振器面内振动的一阶模态,也是使用最为普遍的模态。以降低谐振器振荡时的锚损为目标,以有限元分析为技术手段,采用能量法对环形谐振器锚点的几何尺寸进行定量分析。分析结果表明,与研究者普遍认为的观点相反,谐振器锚点振荡模态的激发并不有助于提高谐振器的Q值。
- 熊壮杨荷袁明权
- 关键词：MEMS环形谐振器
- 具有一体式应力隔离下极板的微加速度计及其加工方法
- 本发明涉及传感器技术领域，提供一种具有一体式应力隔离下极板的微加速度计及其加工方法。微加速度计包括下极板和连接至下极板的应力缓冲板。下极板包括下极板主体和与下极板主体一体成型的隔离结构，应力缓冲板包括应力缓冲板主体和位于...
- 杨杰赵宝林张照云熊壮屈明山李严军郑英彬
- 石英摆式加速度计及其制备方法
- 本发明公开了一种石英摆式加速度计，包括上极板、中间极板和下极板，所述上极板和所述下极板均由键合区、电容平板区和电极引线区组成，所述键合区围在所述电容平板区的四周，所述电极引线区一端悬空，另一端穿过所述键合区与所述电容平板...
- 张照云苏伟唐彬许蔚熊壮
- 与硅微器件集成的MEMS皮拉尼计
- 2024年
- 针对圆片级真空封装现有的检测难、易泄漏等问题,提出一种可与硅微器件工艺兼容、并行加工于同一腔体的皮拉尼(Pirani)计设计与加工方法,用于圆片级真空封装后腔体的真空度检测。采用SOI硅片对皮拉尼计结构进行加工,通过金硅键合方式对器件进行圆片级封装,同时采用硅通孔(TSV)的纵向电极引出方式,改善气密封装问题。测试结果表明,皮拉尼计电阻在线性区间的温度系数为1.58Ω/℃,检测敏感区间约为1~100 Pa,灵敏度达到61.67Ω/ln(Pa)。提出的皮拉尼计可与硅微器件并行加工,为圆片级真空封装腔体的真空度在片测试提供了一种简单可行的方案。
- 秦宜峰刘振华施志贵张青芝熊壮
- 一种基于五层SOI硅片的MEMS单片集成结构
- 本实用新型公开了一种基于五层SOI的MEMS单片集成结构，包括：在硅片上采用标准的SOI？CMOS工艺完成集成电路部分的制作；在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分；在硅片背面光刻，刻蚀背面硅至绝缘层，并刻蚀暴露出的绝缘层；...
- 张照云唐彬苏伟陈颖慧彭勃高扬熊壮
