公共文化服务平台

高尚通: 作品数：18 被引量：149H指数：6; 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

莫来石基板陶瓷的组成对结构与性能的影响被引量：6: 1996年; 研究了ＭｇＯ－Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｉＯ＿２系和ＢａＯ－ＭｇＯ－Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＳｉＯ＿２系添加物的组成对莫来石电子基板陶瓷结构与性能的影响。莫来石含量（质量，下同）为７０％到９０％，样品经１５５０～１６００℃烧成。结果表明：莫来石－富硅玻璃系样品有效低的介电常数ε，但介质损耗ｔｇδ偏高。莫来石－堇青石系ｔｇδ较小，莫来石含量超过８０％的样品的抗弯强度大于２００ＭＰａ。随着添加组分含量的提高，热膨胀系数α趋于降低，莫来石含量为７５％，α（ＲＴ～２００℃）接近４．０×１０－６／℃。实验发现，ＢａＯ不仅具有显著改善ｔｇδ的作用，而且对于促进致密化和提高力学性能也有一定的贡献。引入少量的ＢａＣＯ３（１％）可使莫来石－富硅玻璃系ｔｇδ下降３０％～４０％。莫来石－堇青石系中引入一定量的ＢａＣＯ＿３，可使δ和ｔｇδ分别达到６．７和１５×１０￣－４。ＸＲＤ分析揭示ＢａＯ的引入已导致少量次晶相的生成，如钡长石、刚玉和α石英。由ＳＥＭ观察到：富硅玻璃系样品显微结构中晶粒多呈粒状，而堇青石系样品中莫来石晶粒一维发育程度较为明显。; 靳正国徐廷献胡宗民高尚通王文琴刘志平; 关键词：莫来石陶瓷

微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践——微波器件封装之一被引量：5: 2002年; 总结了微波器件金属陶瓷外壳的电性能设计理论和实践成果,给出了研制微波器件金属陶瓷外壳的基本流程及设计要素;详细介绍了用于微波器件外壳设计时电容、电感、特性阻抗、延迟等参数的计算公式;根据多年的实践经验,给出了几种行之有效的改善外壳电性能的结构和模式;最后就技改项目、研究装备、外壳所需的基础材料的研究开发和生产、高新技术产业化等问题提出了建议。; 高尚通王文琴; 关键词：微波器件金属陶瓷电性能多层陶瓷

微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践(续)——微波器件封装之一被引量：1: 2003年; 高尚通王文琴; 关键词：微波器件封装

现代电子封装技术被引量：41: 1998年; 根据国际电子封装的发展，论述了电子封装的地位和作用，回顾了电子封装的发展简史，提出现代电子封装的概念，并就发展我国电子封装发表几点建议。; 高尚通毕克允; 关键词：表面安装技术多芯片封装

现代电子封装技术: 1999年; 毕克允高尚通; 关键词：电子封装技术

微电子封装在中国的发展趋势: 本文从微电子封装的地位和作用出发,综述了中国电子封装分类、现状水平和发展趋势,并提出了发展中国电子封装的设想。; 高尚通赵正平; 关键词：微电子封装金属封装陶瓷封装塑料封装; 文献传递

先进封装技术的发展与机遇被引量：10: 2006年; 论文综述了自1990年代以来迅速发展的先进封装技术,包括球栅阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SiP)等项新技术;同时,叙述了我国封装产业的状况和发展趋势;并对我国快速发展先进封装技术提出了一些思索和建议。; 高尚通; 关键词：先进封装 BGA CSP WLP 3D封装

新型莫来石瓷在高密度封装中的应用: 1996年; 描述了低介电常数，低膨胀系数新型莫来石瓷在高密度封装中的应用，从设计考虑、封装结构、工艺及电性能方面进行了探讨，以期获得满足高速、超高速集成电路使用要求的高性能封装。; 刘志平高尚通王文琴; 关键词：封装电性能半导体器件

美日封装技术考察及思考被引量：3: 1996年; 介绍了所考察的ＩＢＭ等公司的概况，描述了考察到的氧化铝多层陶瓷技术、带光窗光电器件外壳制造技术、引线框架制作技术、Ｃ４技术和金属热沉制作技术，并提出了作者的思考和建议。; 高尚通; 关键词：微电子封装引线框架芯片互连

新型微电子封装技术被引量：43: 2004年; 本论文综述了自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术,包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。同时,叙述了微电子三级封装的概念。并对发展我国新型微电子封装技术提出了一些思索和建议。; 高尚通杨克武; 关键词：微电子封装技术芯片尺寸封装圆片级封装三维封装焊球阵列封装系统封装

高尚通

合作作者

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

年份

用户反馈

高尚通

合作作者

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

年份

用户登录

用户反馈