罗运生
- 作品数：15 被引量：60H指数：5
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- 一种简单RF预失真电路的研究
- 2012年
- 文章介绍一种基于肖特基二极管的预失真器及其工作原理。预失真器主要由一个肖特基二极管和直流偏置电阻组成,利用二极管的非线性,产生与功放相反的幅度失真与相位失真。通过调节二极管的偏压来调整预失真器的工作状态,使功率放大器在不同输出功率下得到最好的线性度改善。设计实际电路经实验发现,对于应用在C波段的某功率放大器,在不同的输出功率下IMD3的改善不同。在功率放大器1dB增益压缩点处IMD3改善了5dB,而在其他功率点处IMD3最大甚至可以改善20dB。
- 张建罗运生
- 关键词：肖特基二极管功放预失真
- 基于肖特基平面二极管的150GHz和180GHz固定调节式倍频源(英文)被引量：11
- 2013年
- 利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体电路性能,提取相应的S参数文件,分析倍频器的效率.150 GHz二倍频器在149.2 GHz测得最高倍频效率7.5%,在147.4～152 GHz效率典型值为6.0%;180 GHz二倍频器在170 GHz测得最高倍频效率14.8%,在150～200 GHz效率典型值为8.0%.
- 姚常飞周明罗运生王毅刚许从海
- W波段宽带正交模转换器研制被引量：1
- 2012年
- 为满足W波段双通道接收系统的需要,实现将天线接收到的线极化或圆极化电磁波分离出正交的垂直极化和水平极化电磁波,研制出了工作频带宽、性能优、结构简单、适合大批量生产的波导正交模转换器(OMT)。在80～102GHz频带内,即相对于中心频率91GHz的24%频带内,测得水平极化传输损耗典型值为0.8dB、垂直极化传输损耗典型值为0.4dB;各端口回波损耗优于15dB;隔离度典型值为21dB。
- 姚常飞周明罗运生冯真俊许从海
- 关键词：W波段正交模转换器垂直极化水平极化
- 星用固态脉冲功率放大器的热设计研究被引量：2
- 2011年
- 主要研究了星用固态脉冲功率放大器的热设计。以某卫星Ku波段功率放大器为例,介绍Ku波段功率放大器的热设计,并给出了仿真和验证试验结果。
- 汪宇吴礼群吴刚周明罗运生
- 关键词：结温热阻
- 91～98GHz集成单刀单掷开关设计被引量：1
- 2015年
- 为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开关插损典型值1.0dB,不一致性小于0.45dB;91~98GHz测得开关隔离典型值25dB,不一致性小于5dB,92.5~94.5GHz隔离典型值32dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18、20、10和18ns;开关尺寸2.8mm×2.6mm。其作为接收保护开关和发射调制开关可集成应用于W波段收发组件中。
- 姚常飞罗运生周明赵博
- 关键词：W波段单刀单掷开关PIN二极管插损隔离度
- 基于NEDI砷化镓肖特基二极管的D波段和G波段倍频源被引量：5
- 2014年
- 基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线，通过分析器件的有源层（缓冲层、外延层）材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等，综合优化二极管性能，研制出了截止频率为3.2THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管，通过建立其三维场结构，采用电磁场和电路仿真软件相结合的方法，一体化设计匹配电路和器件，研制出了D波段和G波段倍频源.D波段二倍频器在152.6GHz测得最高倍频效率为2.7%，在147.4～155GHz效率典型值为1.3%.G波段二倍频器在172GHz测得最高倍频效率为 2.1%，在150～200GHz效率典型值为1.0%.
- 姚常飞周明罗运生林罡李姣许从海寇亚男吴刚王继财
- 关键词：太赫兹倍频器
- 基于肖特基势垒二极管的太赫兹固态倍频源和检测器研制被引量：12
- 2013年
- 本文基于GaAs肖特基势垒二极管以及混合集成电路工艺,对太赫兹固态倍频和检测技术开展了研究.文章结合肖特基势垒二极管物理结构,采用电磁场仿真软件和电路仿真软件相结合的综合分析方法,对各模块电路进行优化设计,研制出了高倍频效率的倍频源和高灵敏度的检测器(检波器和谐波混频器).0.15THz检波器测得最高检波电压灵敏度1600mV/mW,在0.11～0.17THz灵敏度典型值为600mV/mW,切线灵敏度优于-29dBm.0.15THz二倍频器测得最高倍频效率7.5%,在0.1474～0.152THz效率典型值为6.0%.0.18THz二倍频器测得最高倍频效率14.8%,在0.15～0.2THz效率典型值为8.0%.0.15THz谐波混频器测得最低变频损耗10.7dB,在0.135～0.165THz变频损耗典型值为12.5dB.0.18THz谐波混频器测得最低变频损耗5.8dB,在0.165～0.2THz变频损耗典型值为13.5dB,在0.21～0.24THz变频损耗典型值为11.5dB.
- 姚常飞周明罗运生许从海寇亚男陈以钢
- 关键词：太赫兹倍频器检波器谐波混频器
- 基于巴特沃斯低通滤波器的毫米波宽带低插损限幅器研究被引量：16
- 2013年
- 基于巴特沃斯（最大平坦型）低通滤波器模型，研究了毫米波限幅器在小信号时的等效电路．结合限幅电路电磁场仿真模型，分析限幅二极管物理模型的寄生参数和键合金丝电感，提取相应的S参数，以设计限幅器的阻抗匹配网络，研制出了Ka波段全频段低插损限幅器．在26～40GHz，测得限幅器小信号插损小于4．3dB，最小插损2．2dB，驻波比小于1．95：1；当输入的连续波功率为0．5W时，限幅输出功率小于10．5dBm；整个限幅器尺寸为20×12×6mm3，限幅器性能达到国外同类产品水平．
- 姚常飞周明罗运生吴刚许从海
- 关键词：毫米波等效电路模型限幅器
- 基于功率合成技术的75～115GHz六倍频源被引量：3
- 2015年
- 本文采用混合集成技术，实现了75～115GHz的w波段六倍频功率合成信号源．其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后，输出两路各约24dBm的Ka波段信号，以驱动75～115GHz三倍频器，变阻二极管基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线设计实现，三倍频信号经功率合成后输出．考虑到倍频二极管各种寄生参数的影响，本文采用去嵌入阻抗计算方法，提取二极管的输入阻抗及三次谐波输出阻抗，综合分析匹配电路，优化倍频器效率．在75～115GHz测得六倍频源输出功率大于8．0dBm、输出功率平坦；在112GHz测得最大输出功率为10．2dBm，合成倍频效率大于1．3％，其性能达到了国外同类产品水平，可将微波信号源扩展至75～115GHz，解决了w波段TR组件本振源及发射源的产生问题．
- 姚常飞陈振华周明罗运生许从海郁建
- 关键词：W波段功率合成倍频
- W波段宽带高效率电阻性三倍频器设计
- 2013年
- 本文基于TSC-AP-03020混频二极管设计了W频带全波段三倍频器,考虑到二极管各种寄生参数的影响,采用去嵌入阻抗的方法,提取二极管物理结构的S参数文件,结合二极管SPICE模型,提取二极管的输入阻抗和三次谐波输出阻抗。基于计算的阻抗,综合分析输入输出阻抗匹配网络和波导-鳍线过渡,采用一体化设计方法,提取倍频器无源电路的整体S参数,通过谐波平衡分析方法,优化倍频器的倍频效率。设计的W波段倍频器在100GHz测得最高倍频效率4.2%。在75-110GHz倍频效率典型值为3.5%,倍频效率响应曲线平坦,性能优于国外同类产品水平,解决了W波段宽带信号源的问题。
- 周明姚常飞罗运生李姣吴刚
- 关键词：W波段倍频器
