公共文化服务平台

吴顺华: 作品数：81 被引量：163H指数：6; 供职机构：天津大学更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金天津市自然科学基金更多>>; 相关领域：化学工程电气工程一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

添加剂对(Zr,Sn)TiO_4系统高频陶瓷介电性能的影响被引量：7: 2003年; 用一般的电子陶瓷工艺在中温 (115 0℃ )烧结条件下制备了 (Zr ,Sn)TiO4 系统多层陶瓷电容器 (MLCC)用高频陶瓷材料。通过向系统中加入CuO ,ZnO ,BaCO3 ,SrCO3 和G(玻璃 )等添加剂 ,达到了降低烧成温度并提高介电性能的效果。研究了各添加剂对系统介电性能的影响。制得的陶瓷材料具有优异的介电性能 :在 1MHz下 ,ε≈ 38,Q =1/tanδ≥ 10 4 ,ρV≥ 10 11Ω·m ,αC=(0± 30 )× 10 -6·℃ -1。; 王国庆吴顺华赵玉双; 关键词：添加剂介电性能中温烧结

温度稳定型钛酸钡系统陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种温度稳定型BaTiO3系统陶瓷，其组分及其原料重量百分比为：BaTiO355-85%，P熔块10-45%，Nb2O5...; 吴顺华王小勇王爽陈力颖刘俊峰

液相包覆法合成Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3超细粉体: 2005年; 以水合五氧化二钽(Ta2O5·nH2O)纳米胶粒为活性固相基体,柠檬酸镁、柠檬酸钡混合溶液为包覆相,采用液相包覆-界面反应的方法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3超细粉体.利用热失重-差热分析、X射线衍射及透射电镜等手段对产物的合成过程与结构形态进行了分析表征.研究表明以该方法能够在800℃下合成出成分均一、纯度较高、具有良好烧结活性的BMT超细粉体,产物粒子的形态接近球形,粒径分布窄,大约为20～30nm.; 王伟吴顺华孙萍; 关键词：湿化学法超细粉体柠檬酸盐

(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4陶瓷预烧和烧结工艺研究被引量：8: 2003年; 研究了预烧和烧结工艺对(Zr0.8Sn0.2)TiO4系统陶瓷材料介电性能的影响,发现预烧温度对介电常数ε影响不大,但预烧温度过高或过低会使介电损耗tanδ增大;在一定范围内提高烧结温度能使ε增加,但烧结温度过高或过低会使tanδ增大。XRD分析表明,在1100°C预烧,1150°C烧结的该系统主晶相是(Zr0.8Sn0.2)TiO4。该系统具有优良的介电性能(1MHz):ε≈38,tanδ≤10-4,体电阻率ρv≥1013·cm,温度系数αc=0±30×10-6/°C。; 王国庆吴顺华颜海洋; 关键词：预烧介电性能

低功耗无源超高频射频识别应答器芯片的射频电路设计与实现: 2007年; 提出了一种符合ISO/IEC18000-6B标准的高性能低功耗无源超高频（UHF）射频识别（RFID）应答器芯片的射频电路。该射频电路除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量。其构成包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等几个主要模块。该射频电路芯片采用支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,测试结果表明其读取距离大于3m,在915MHzISM频带下工作时其电流小于8μA,该芯片核心面积为300μm×720μm。; 陈力颖毛陆虹吴顺华郑轩李彦明; 关键词：低功耗射频电路

B a-,Sr-基A(B'_(1/3)B″_(2/3))O_3型复合钙钛矿化合物的结构(上)有序行为及理论研究被引量：1: 2005年; 比较全面地介绍了A(B'1/3B″2/3)O3型复合钙钛矿系化合物的有序结构及其对介电性能的影响,阐明了1∶2长程有序、1∶1短程有序形成的机理及其特征。1∶2有序是B'与B″离子以“B'∶B″∶B″…”的比例沿<111>方向交替排列;而1∶1有序是B'和B″离子沿<111>方向呈1∶1层状交替排列,一般认为B位离子形成(B'2/3B″1/3)1/2∶B″1/2为1∶1的混合型有序排列,即沿<111>方向,(B'2/3B″1/3)1/2和B″1/2呈相间层状排列;长程有序和短程有序可同时存在并在一定条件下相互转化。介绍了对A(B'1/3B″2/3)O3型复合钙钛矿系化合物有序结构的理论研究成果:静电模型和第一性原理。; 吴顺华王国庆石锋; 关键词：离子化合物第一性原理介电性能

一种低温共烧陶瓷介质材料及其制备方法: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷介质材料，由重量百分比1-16％的玻璃粉和重量百分比84-99％的Ba6-3x(Nd0.4Bi0.6)8+2x</S...; 吴顺华张永刚高顺起魏雪松陈志斌

基于Hermite插值的视频图像分辨率匹配电路设计被引量：1: 2012年; 目前常用的图像分辨率匹配算法,存在着缩放效果模糊或硬件消耗过大等问题。综合缩放效果和电路消耗考虑,提出了一种基于三次Hermite插值算法的图像分辨率匹配电路。以基于数字差分分析算法的模块控制插值源像素的选取,以Hermite算法为内核完成插值系数的计算,相对双三次插值算法,保证了较小的硬件消耗。通过均方差、峰值信噪比、灰度梯度模值和傅里叶频谱对Hermite插值算法缩放效果与其余算法缩放效果进行定量分析,表明三次Hermite插值算法比双线性插值算法具有更好的缩放效果。同时通过电路综合结果,表明该电路相对基于双三次插值的电路,硬件消耗更小。; 李少卿史再峰姚素英吴顺华刘睿

Design of an Analog Front End for Passive UHF RFID Transponder IC被引量：4: 2007年; This paper introduces a high-performance analog front end for a passive UHF RFID transponder IC, which is compatible with the ISO/IEC 18000-6B standard,operating at the 915MHz ISM band with a total supply current consumption less than 8μA. There are no external components, except for the antenna. The passive IC＇s power supply is taken from the energy of the received RF electromagnetic field with the help of a Schottky diode rectifier. The RFID analog front end includes a local oscillator, clock generator, power on reset circuit, matching network and backscatter,rectifier,regulator, and AM demodulator. The IC, whose reading distance is more than 3m,is fabricated with a Chartered 0.35μm two-poly four-metal CMOS process with Schottky diodes and is EEPROM supported. The core size is 300μm × 720μm.; 陈力颖吴顺华毛陆虹郝先人; 关键词：RFID

制备工艺对BNBT陶瓷介电性能的影响被引量：1: 2010年; BNT(BaO-Nd2O3-TiO2)系统陶瓷是一种介电性能优良的陶瓷材料。在BNT中添加一定量的B i2O3,可以得到介电性能更优的BNBT(BaO-Nd2O3-B i2O3-TiO2)陶瓷。该文分别研究了球磨时间、烧结温度和保温时间对BNBT陶瓷介电性能的影响。结果表明:当球磨时间为10h、烧结温度为1160℃、保温时间为9 h时,BNBT陶瓷的介电性能为:介电常数ε=99.8281,介电损耗tanδ=2.65×10-4,介电常数温度系数αε≤±30 ppm℃/。; 李世春吴顺华; 关键词：介电性能烧结温度保温时间