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何春清

作品数:57 被引量:71H指数:5
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金南方电网公司科技项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 30篇期刊文章
  • 20篇会议论文
  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 26篇理学
  • 11篇一般工业技术
  • 8篇电气工程
  • 4篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 23篇正电子
  • 9篇正电子湮没
  • 8篇退火
  • 8篇微结构
  • 6篇自由体积
  • 6篇绝缘
  • 5篇橡胶
  • 5篇绝缘子
  • 5篇硅橡胶
  • 5篇复合绝缘
  • 5篇复合绝缘子
  • 5篇SNO
  • 4篇电子偶素
  • 4篇正电
  • 4篇透明导电
  • 4篇谱学
  • 4篇谱学研究
  • 4篇聚碳酸
  • 4篇聚碳酸酯
  • 4篇聚碳酸酯薄膜

机构

  • 56篇武汉大学
  • 5篇广东电网有限...
  • 3篇武汉长弢新材...
  • 2篇华东理工大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中山大学
  • 1篇中南大学
  • 1篇中国电力科学...
  • 1篇武汉黄鹤楼新...
  • 1篇广东电网有限...

作者

  • 57篇何春清
  • 14篇王少阶
  • 11篇方鹏飞
  • 9篇李启超
  • 9篇毛文峰
  • 8篇杨春红
  • 6篇吴奕初
  • 6篇熊帮云
  • 5篇刘雍
  • 5篇陈志权
  • 4篇戴益群
  • 4篇汪政
  • 3篇王波
  • 3篇王晓峰
  • 3篇张少平
  • 3篇张明
  • 2篇祁宁
  • 2篇陈吉
  • 2篇胡春圃
  • 2篇罗义

传媒

  • 8篇武汉大学学报...
  • 6篇半导体光电
  • 4篇第十四届全国...
  • 3篇物理实验
  • 3篇绝缘材料
  • 3篇武汉大学学报...
  • 2篇材料保护
  • 1篇高分子学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国电机工程...
  • 1篇广东电力
  • 1篇中外能源
  • 1篇第八届全国正...
  • 1篇全国第七届正...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 9篇2014
  • 3篇2012
  • 5篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 3篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1997
57 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电子偶素(Ps)在介孔SiO_2薄膜中湮没研究
分别以两亲性三嵌段共聚物和阳离子表面活性剂CTAB为模板,采用溶胶-凝胶法制备了多孔二氧化硅薄膜,并利用气体吸附-椭圆偏光仪等测量了其气体吸附行为。通过慢正电子束的正电子湮灭寿命、多普勒展宽谱学(DBAR)及电子偶素时间...
何春清熊帮云毛文峰汤秀琴
关键词:介孔薄膜正电子湮没空隙率
慢正电子束和循环伏安法研究介孔二氧化硅薄膜中孔的连通性
以原硅酸四乙酯(TEOS)为前驱体,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,Si(100)和ITO导电玻璃为衬底,采用溶胶-凝胶法和提拉制膜工艺,制备了CTAB/(CTAB+TEOS)质量比分别为5%,15%,25%三...
汤秀琴李启超周亚伟杨春红毛文峰尹崇山何春清
关键词:慢正电子束溶胶-凝胶法二氧化硅循环伏安法连通性
退火对铟锡氧化物薄膜导电性的影响
我们使用陶瓷靶采用磁控溅射方法在单晶硅基板上面生长了约200nm的ITO薄膜,并在100℃—600℃下进行退火处理,通过XRD、AFM、四探针电阻法,以及慢正电子束等实验手段对薄膜样品的结晶、形貌、电阻以及缺陷等状况进行...
李启超毛文峰杨春红周亚伟汤秀琴尹崇山何春清
关键词:ITO薄膜退火慢正电子束电导率
缺陷及Sb价态对ATO薄膜导电性能影响的研究
采用溶胶凝法在单晶硅基板上提拉制备不同浓度Sb掺杂SnO_2(ATO)薄膜,并分别在400℃、600℃和800℃条件下于空气气氛中进行煅烧处理。采用AFM、XPS、四探针测电阻法以及慢正电子束等实验手段对薄膜样品的形貌、...
毛文峰熊帮云李启超周亚伟尹崇山何春清
关键词:正电子电阻率
可动悬点摆的振动特性研究
可动悬点摆是一种二自由度非线性耦合摆,其振动行为在不同能量区间表现出不同的性质。利用Lagrange力学方法以及小量近似,发现在低能量小摆角情形,摆的两个振动自由度处于脱耦合状态,摆锤的振动在x,y方向可以分离,能够准确...
彭雨田王晓峰何春清
冷正电子的产生及脉冲微束的开发
本文介绍了本实验利用等离子体技术获得冷正电子并在此基础上进行脉冲微束的开发现状。利用固态氖作为慢化体,得到高通量(~106e+/s)的慢正电子束,正电子的能量分散
何春清陈志权吴奕初王少阶
关键词:旋转电场聚束
复合绝缘子护套-芯棒界面异常老化特征及原因分析被引量:11
2022年
护套-芯棒界面是复合绝缘子内绝缘的重要组成部分,与复合绝缘子的异常运行缺陷、故障密切相关。本文针对一起发热的500 kV运行复合绝缘子进行深入分析,结合多种表征技术对护套-芯棒界面老化特征进行了研究。结果表明:界面处护套的老化受其所在位置电场强度的影响显著。有异常温升或放电处的硅橡胶护套和环氧玻纤芯棒粘接良好,但界面处都有颗粒物缺陷存在。硅橡胶护套的Si-O键峰强由里向外逐渐增强,在1650 cm;处的-NO;键峰强也表现出相同的趋势,表明硅橡胶护套的老化是由里向外逐渐发展的,与正常老化顺序相反。界面处芯棒表面老化发白,其环氧树脂的相对含量由17.7%降低至11.4%。对界面颗粒物进行X射线衍射分析,发现其主要成分为氢氧化铝,推断是由小颗粒的氢氧化铝填料团聚形成的。这类界面颗粒物缺陷是在复合绝缘子制造过程中产生的,具有隐蔽性。
汪政汪政彭向阳卢煜杨粤何春清何春清
关键词:复合绝缘子
CIGS薄膜太阳电池的数值模拟研究
2024年
建立了铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池结构模型,利用SCAPS模拟计算得到CIGS薄膜太阳能电池的载流子生成率、能带排列、电场强度等,研究了CIGS薄膜太阳能电池吸收层的Ga组分含量、不同共蒸法制备的电池吸收层缺陷密度、吸收层厚度、掺杂浓度对电池输出性能的影响。结果表明,单步共蒸法制备的电池中CIGS/CdS异质结“尖峰状”的能带排列有利于载流子传输;当Ga组分含量在30%时,太阳能电池的输出性能优异。三步共蒸法制备的电池吸收层缺陷密度进一步降低,可提升电池的输出性能。吸收层厚度为2.0μm厚的电池吸收层即可吸收大部分的光子,继续增加吸收层厚度会导致短路电流密度降低。增大吸收层掺杂浓度,提高了光生电动势、增大了开路电压,但CIGS/CdS异质结界面处势垒下降,载流子复合率上升,导致短路电流密度下降。优化CIGS薄膜太阳能电池参数后,利用SCAPS模拟得到其转换效率达到了27.67%。
陈金福王莉董志虎蔡阳覃新宇何春清
关键词:铜铟镓硒输出性能
NO_2对复合绝缘子硅橡胶表面结构的影响被引量:4
2019年
为了研究NO_2对复合绝缘子硅橡胶表面结构的影响,利用傅里叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、TG-DSC综合热分析法系统研究了NO_2作用下复合绝缘子硅橡胶表面化学结构和物理结构随反应时间的变化规律。结果表明:NO2会导致硅橡胶表面有机组分聚二甲基硅氧烷(PDMS)的主链Si-O-Si断裂,侧链Si-CH_3氧化并生成少量亚硝基;同时老化过程中暴露出来的Al(OH)_3与NO_2反应生成Al(NO_3)_3,导致硅橡胶的热稳定性下降。
罗义汪政陈龙黄振彭向阳何春清方鹏飞
关键词:硅橡胶复合绝缘子热稳定性
一种基于正电子湮没寿命强度的氢氧化铝含量检测方法
本发明涉及一种基于正电子湮没寿命强度的氢氧化铝含量检测方法,将待测硅橡胶制得的检测组件放入正电子寿命谱测量仪的光子闪烁探测器中,检测发射光子,并得到原始湮灭寿命谱图,采用PATFIT程序解谱,获得o‑Ps强度值I<Sub...
刘雍方佳鹏方鹏飞何春清
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