柳现发
- 作品数：4 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家部委资助项目国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 4～20GHz超宽带低噪声放大器单片电路被引量：3
- 2013年
- 采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构。放大器采用了自偏压单电源供电,因为每级有两个FET串联,自偏压电路更为复杂,通过多个电阻分压的方式确定了每个FET的工作点。测试结果表明,该放大器在频率4～20 GHz内,增益大于14 dB,噪声系数小于3.0 dB,增益平坦度小于±1.0 dB,输入驻波比小于1.5∶1,输出驻波比小于1.8∶1,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm。放大器的工作电压为8 V,电流约为50 mA,芯片面积为2.0 mm×2.0 mm。
- 许春良王绍东柳现发高学邦
- 关键词：超宽带低噪声放大器行波微波单片集成电路
- 一种高集成LTCC射频前端电路被引量：5
- 2008年
- 设计并制作了一种基于LTCC技术的系统级封装多通道射频前端电路。讨论了优化系统结构设计和LTCC材料选择,采用小信号S参数和谐波平衡法进行系统原理仿真设计,用三维电磁场法进行多层LTCC基板微波电路仿真分析。依托先进的LTCC制造工艺技术,该射频前端电路高密度集成了MMIC和CMOS芯片、贴片元件、多种形式的嵌入式滤波器以及控制线、微带线、带状线等元件,实现了微波信号放大、下变频和控制,具有体积小、重量轻、低噪声、低功耗、多通道的特点。该电路性能优良,增益62dB,噪声系数2.8dB,输入驻波比小于1.8,与采用混合集成电路技术的同类产品相比体积大幅度减小。
- 柳现发王绍东吴洪江洪求龙
- 关键词：低温共烧陶瓷射频前端系统级封装谐波平衡微波单片集成电路
- 5 W ISM波段InGaP/GaAs HBT功率放大器MMIC(英文)被引量：2
- 2010年
- 通过分析InGaP/GsAsHBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设计HBT功率器件单元和匹配电路,开发了一个大功率、高效率、小尺寸的ISM波段功率放大器单片集成电路。该三级放大器的各级器件单元的发射极面积分别为320μm2,1280μm2,5760μm2,芯片内部包括了输入、输出50Ω匹配电路,面积仅为1.9mm×2.1mm。放大器采用5V单电源供电,在2.4～2.5GHz频率范围内线性增益为27dB,2dB增益压缩点输出饱和功率达到37dBm,功率附加效率为46%。
- 冯威戚伟柳现发王绍东
- 关键词：功率放大器ISM波段HBTMMIC
- 0.8～8.5 GHz宽带单片低噪声放大器被引量：4
- 2008年
- 利用负反馈放大器设计原理，采用GaAs PHEMT工艺技术，设计制作了一种微波宽带GaAs PHEMT低噪声放大器芯片，并给出了详细测试曲线。该放大器由两级组成，采用负反馈结构，工作频率0.8-8.5 GHz，整个带内功率增益19 dB，噪声系数1.55 dB，增益平坦度小于±0.7 dB，输入驻波比1.6，输出驻波比1.8，1 dB压缩点输出功率大于10 dBm，芯片内部集成偏置电路，单电源＋5 V供电，芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为2.5 mm×1.2 mm。
- 柳现发王德宏王绍东吴洪江张务永
- 关键词：宽频带低噪声放大器负反馈微波单片集成电路
