游彪
- 作品数:24 被引量:34H指数:3
- 供职机构:南京大学物理学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- Gd在Fe纳米围栏中的量子扩散行为研究
- 曹荣幸丁海峰缪冰锋仲张峰孙亮游彪张维吴镝胡安S.D.Bader
- 循环摆运动模式的模拟与实验探究
- 2024年
- 理论分析了循环摆系统的动力学过程,从Euler缰绳方程出发推导出微分方程组,探讨不同运动情境间的方程衔接条件.利用Mathematica对运动方程做数值计算,采用控制变量实验验证理论分析.通过展示4种运动模式的相图,讨论了相图中各参量变化的物理图像.在主要参量的影响下,得到绳绕转圈数、重物下落高度以及摆动持续时间的相图.
- 沈俊杰张绎凡游彪王寅龙
- 关键词:MATHEMATICA
- 人工二维Skyrmion晶体的构建
- 孙亮曹荣幸缪冰锋冯正游彪吴镝张维胡安丁海峰
- 关键词:磁涡旋态
- 微纳受限磁结构中畴壁产生和运动的研究
- 操纵畴壁运动由于其对于下一代逻辑和赛道存储(racetrack memory)自旋电子学器件[1]的研制具有重要意义,近年来引起了人们的广泛关注。前人工作证实可以通过在纳米线上刻出凹槽或者凸起来钉扎畴壁[2,3]。本实验...
- 高远刘墨玉游彪杜军
- 关键词:畴壁磁光克尔效应磁电阻
- Co/Co<,3>O<,4>系统中的反铁磁钉扎效应
- 我们研究了一系列Co/Co<,3>O<,4>(t)双层膜的静态磁特性,发现在90-220K的范围内,当Co<,3>O<,4>尚处于顺磁状态时,系统的磁滞回线已具有明显的交换偏置现象.我们测量了样品的XPS谱和原子百分比,...
- 王一星游彪赵艳玲孙亮潘明虎杜军胡安鹿牧
- 关键词:双层膜磁控溅射
- 纳米复合Fe-R-O(R=Hf,Nd,Dy)薄膜面内铁磁共振研究
- 2004年
- 用反应溅射方法制备了Fe R O(R =Hf,Nd ,Dy)薄膜 ,并在 4 0 0℃时对样品进行退火处理 ,x射线衍射和电子衍射结果显示纳米量级的Fe晶粒镶嵌在非晶氧化物基质中 .用面内铁磁共振技术仔细测量了样品的共振吸收谱 ,并分析了局域磁化强度Ms 与晶粒尺寸的关系 .制备态样品呈现出显著的面内单轴各向异性 ,退火后单轴各向异性显著减弱 ,取而代之的是较弱的磁晶各向异性 .利用公式 (ω γ) 2 =(Hres+HK) (Hres+HK +4πMs)求出局域磁化强度Ms,它随晶粒尺寸减小而减小 ,在晶粒尺寸为 5nm时仅约为Fe体材料饱和磁化强度的 30 % .局域磁化强度与根据Fe的体积百分比算出的体磁化强度相比偏小 ,并与晶粒尺寸的倒数呈线性关系 ,说明在晶粒表面存在较强的磁矩钉扎效应 .
- 杜军孙亮盛雯婷游彪鹿牧胡安M.M.CorteRealJ.Q.Xiao
- 关键词:铁磁共振单轴各向异性磁晶各向异性纳米复合薄膜
- 多层膜的巨磁电阻效应
- 游彪
- 关键词:多层膜磁电阻效应
- Co/CoO系列中反铁磁钉扎效应的研究
- 我们用磁控溅射方法制备了Co/CoO(t<,1>,t<,2>)的双层膜,利用成膜时所加的磁场使Co层产生单轴各向异性,在其难轴方向上加以不同的磁场,使铁磁层处于不同的磁化状态进行场冷,在100K处测量其垂直、平行方向上的...
- 游彪潘明虎赵艳玲盛雯婷杜军鹿牧胡安
- 关键词:磁滞回线
- 氮氢混合气氛退火对SrBi2Ta2O9薄膜铁电性能的影响
- 在Pt/TiO/SiO/Si衬底上,采用金属有机化合物分解法(MOD)制备了SrBiTaO(SBT)铁电薄膜。在氮氢混合气氛(Forming Gas,5%H+95%N)中,在不同的时间条件下对SBT铁电薄膜进行了退火处理...
- 王东生于涛孙波游彪胡安吴迪李爱东刘治国
- 关键词:铁电
- 高介电常数的栅极电介质LaAlO_3薄膜的性能研究被引量:20
- 2003年
- 在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压±1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能. C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料.
- 王东生于涛游彪夏奕东胡安刘治国
- 关键词:介电常数半导体集成电路