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戎华

作品数:59 被引量:101H指数:6
供职机构:南京师范大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>

文献类型

  • 29篇期刊文章
  • 16篇专利
  • 11篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 20篇电子电信
  • 11篇自动化与计算...
  • 10篇机械工程
  • 9篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 17篇传感
  • 16篇感器
  • 16篇传感器
  • 15篇MEMS薄膜
  • 11篇电路
  • 11篇压力传感器
  • 11篇力传感器
  • 11篇光纤
  • 11篇宏模型
  • 10篇等效电路宏模...
  • 10篇电路宏模型
  • 10篇MEMS
  • 9篇悬臂
  • 9篇悬臂梁
  • 8篇杨氏模量
  • 7篇微机电系统
  • 7篇机电系统
  • 7篇电系统
  • 6篇等效
  • 6篇等效电路

机构

  • 37篇南京师范大学
  • 23篇东南大学
  • 5篇合肥工业大学
  • 2篇西安交通大学

作者

  • 59篇戎华
  • 29篇王鸣
  • 18篇李伟华
  • 15篇黄庆安
  • 8篇聂萌
  • 7篇葛益娴
  • 7篇闻飞纳
  • 6篇陈涵
  • 6篇陈绪兴
  • 4篇戴丽华
  • 3篇李明
  • 3篇倪小琦
  • 3篇王婷婷
  • 3篇王建华
  • 3篇赵彩峰
  • 2篇张莉丽
  • 2篇尤晶晶
  • 2篇陈玺
  • 1篇岳邦强
  • 1篇许高斌

传媒

  • 5篇Journa...
  • 4篇传感技术学报
  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇光学学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇南京师范大学...
  • 2篇第八届中国微...
  • 2篇中国微米/纳...
  • 1篇机械工程学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇化工自动化及...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇仪器仪表标准...
  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇光学与光电技...
  • 1篇西安文理学院...
  • 1篇2005年南...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 10篇2006
  • 8篇2005
  • 5篇2004
  • 11篇2003
  • 1篇2002
59 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
微电子机械系统多层膜应力和杨氏模量的测量结构及方法
微电子机械系统多层膜应力和杨氏模量的测量结构及方法,该测量结构由n层等长不等宽的被测膜材料重叠设置、两端固定,构成多层两端固定的支梁(1),支梁的两端分别设有加固的锚区(301),在锚区的两边为支边(302),在两个支边...
黄庆安聂萌李伟华戎华
机电耦合MEMS器件等效电路宏模型及相关理论的研究
MEMS器件通常涉及多个能量域之间的耦合,对单个MEMS器件静态特性的分析主要是采用有限元的方法,但有限元分析计算量大,计算时间长,已经不适宜于单个器件的动态分析,对包含有传感器、执行器及信号处理单元的复杂MEMS系统就...
戎华
关键词:MEMS宏模型吸合
多层梁机电耦合系统的等效电路宏模型被引量:1
2003年
实现MEMS器件系统级模拟的关键是建立其宏模型。由单层梁构成的机电耦合系统的等效电路宏模型 ,已做过深入的研究 ,但实际的MEMS器件通常都是多层的 .本文提出了一种基于力 电压 (F V)类比的、适用于由多层梁构成的机电耦合系统的等效电路宏模型 ,该模型可进行小信号时域和频域分析 ,能为多层梁机电耦合系统的设计带来很大的方便。模拟结果表明 。
戎华黄庆安李伟华
关键词:微机电系统等效电路宏模型
一种在线测量MEMS薄膜应力梯度的方法
本发明公开了一种在线测量MEMS薄膜应力梯度的方法,其步骤为:在结构层薄膜上制作成一个中心固定的圆形薄膜。当圆膜被释放后,会在其内部的应力梯度作用下发生形变。用非接触相移型米劳干涉仪测量出圆膜边缘竖直方向的位移,进而算出...
戎华陈涵王鸣
三维形貌测量中由光强图确定相移量主值的方法
本发明公开了一种三维形貌测量中由光强图确定相移量主值的方法,可从多幅(至少三幅)光强图直接确定光强图之间相移量的主值(即介于‑180°与+180°之间的角度值)。本发明利用每幅光强图中的背景光强都相同这一特性,基于快速傅...
戎华陈玺
硅的反应离子刻蚀工艺参数研究被引量:12
2006年
对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低.
葛益娴王鸣戎华
关键词:反应离子刻蚀刻蚀速率
基于光学干涉技术的MEMS薄膜泊松比在线测量方法研究被引量:1
2010年
提出了一种基于光学干涉技术的MEMS薄膜泊松比在线测量方法.该方法采用直角悬臂梁作为测试结构,在上下两电极之间加上电压后,在静电力的作用下,与锚区相连的第一段直梁将发生弯曲变形和扭转变形.先由米劳干涉仪测得悬臂梁的变形,然后分离出形变中的弯曲分量和扭转分量,进而计算出薄膜材料的泊松比.用CoventorW are软件验证.结果显示该方法精度很高.
赵彩峰戎华
关键词:MEMS薄膜泊松比
静电作用下多层两端固支梁pull-in电压的解析模型
受静电力作用的多层两端固支梁MEMS器件具有广泛的应用,其pull-in电压V<,PI>对器件性能通常有重要的影响,本文运用能量法分析了多层两端固支梁在静电作用下的弯曲情况及发生pull-in现象时,梁中央的归一化位移β...
戎华黄庆安李伟华
关键词:能量法
F-I类比方法及MEMS梁的等效电路宏模型被引量:3
2003年
建立了一种基于力 -电流 ( F- I)类比、适用于梁结构机电耦合系统小信号时域及频域分析的等效电路宏模型 ,与已有的基于力 -电压 ( F- V)类比的等效电路宏模型相比 ,基于 F- I类比的等效电路宏模型的电网络与原来的机械网络具有相同的拓扑结构 ,因此 ,基于 F- I类比的等效电路宏模型能为复杂机电系统等效电路宏模型的建立带来很大的方便 .模拟结果表明该模型具有较高的精度 .
戎华黄庆安李伟华
关键词:等效电路宏模型拉格朗日方程微机电系统
扩散硅压力传感器负热灵敏度漂移补偿方法的研究被引量:4
2005年
分析恒压源供电和恒流源供电两种情况下扩散硅压力传感器的灵敏度随温度变化的关系式,提出用负阻抗变换器补偿负热灵敏度漂移的方法。模拟结果表明补偿效果非常显著。
张莉丽戎华刘仁
关键词:压力传感器负阻抗变换器
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