倪涛
- 作品数：30 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于非保偏光纤环腔的启钥式耦合光电振荡器被引量：1
- 2022年
- 耦合光电振荡器利用有源再生主动锁模技术极大地缩短了光纤环腔长度,有效提升了低相噪光电振荡器的集成度与稳定性。针对传统耦合光电振荡器存在的偏振敏感和超模杂散问题,本团队构建了基于180 m非保偏光纤环腔的启钥式耦合光电振荡器,实现了耦合光电振荡器的开机稳定起振和超模杂散抑制,产生的10 GHz射频信号相位噪声和杂散抑制比分别优于-125 dBc/Hz@10 kHz和76.3 dB。
- 刘京亮李晓琼戴键银军徐守利余若祺斛彦生许春良倪涛
- 关键词：光纤光学偏振不敏感
- 小型化S波段高效率400W GaN功率模块设计与实现
- 基于多级射频放大电路技术和高压脉冲调制技术,实现了一款S波段高增益小型化400W功率模块的研制。驱动放大电路采用两级GaN芯片进行匹配来进行功率放大;末级放大电路依托栅长(0.5um)GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)...
- 李晶倪涛吴景峰王毅
- 关键词：GAN功率放大模块内匹配小型化
- 文献传递
- C波段高效率小型化GaN 150W功率放大器载片设计
- 2023年
- 介绍了一种C波段高效率GaN功率放大器的设计流程。该功率放大器为满足小型化尺寸要求,采用高介电常数的钛酸锆陶瓷实现功分器匹配电路,通过无源集总元件(integrated passive device,IPD)技术,创新性地将栅极匹配电容和二次谐波匹配网络集成在同一芯片尺寸内,采用Lange电桥合成构成平衡结构的小型化功率放大器载片。整个功率放大器在15.0 mm×9.2 mm×2.0 mm的载体内实现。测试结果显示,在工作电压36 V、输入功率40 dBm、脉宽1 ms、占空比30%条件下,4.4 GHz~5.0 GHz频带内饱和输出功率在145~166 W,功率增益在10~10.6 dB,功率附加效率大于56%,最高功率附加效率达到59.3%。
- 斛彦生王毅银军倪涛余若祺董世良王浩杰
- 关键词：GANIPD宽带
- P波段宽带放大器输出内匹配网络
- 本发明提供一种P波段宽带放大器输出内匹配网络。该输出内匹配网络包括第一微带线、第二微带线、多个匹配电容和隔直电容，第一微带线与多个匹配电容形成LC匹配网络，第二微带线与隔直电容形成隔直网络；第一微带线的一端作为LC匹配网...
- 倪涛李晶余若祺银军王毅斛彦生徐守利高永辉
- 电源调制驱动器的失效分析
- 2021年
- 电源调制驱动器是保障电路系统脉冲式供电的常用IC产品,通过输出脉冲信号控制MOSFET的开关为电路系统供电。讨论了某电子设备中出现的电源调制驱动器失效现象。通过二极管导通测试和加电测试确定故障位置和失效情况,并对失效产品进行开帽和去层,更精准地定位故障位置。通过建立故障树并使用排除法对失效驱动器进行分析,确定其失效的主要原因。通过机理分析和故障复现,证明了之前故障定位的准确性和分析的正确性。最后,为防止类似失效情况的再次发生制定了相应的改进措施。经用户使用验证,故障问题得以解决。
- 赵永瑞赵永瑞师翔倪涛倪涛
- 关键词：静电损伤电流冲击
- 高增益S波段小型化200 W功率模块研制技术被引量：6
- 2018年
- 采用多级射频放大电路以及高压脉冲调制技术,实现了S波段高增益小型化200 W功率模块的研制。驱动放大电路采用Ga As功率单片进行功率合成;末级放大电路依托栅长(0.5μm)Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片,选取多子胞结构来改善热分布,通过内匹配技术设计完成了双胞总栅宽24 mm Ga N芯片的匹配网络,并设计高压脉冲调制电路提供电源,成功研制出了小型化的S波段200 W内匹配Ga N功率模块。测试得出该模块实现了在输入功率10 d Bm,栅极电压-5 V,漏极电压32 V,TTL调制信号输入条件下,输出频率在3.1~3.5 GHz处,输出功率大于200 W,功率附加效率(PAE)大于55%。模块实际尺寸为2.4 mm×38 mm×5.5 mm。
- 李晶倪涛吴景峰赵夕彬王毅
- 关键词：功率放大模块小型化
- 用于36V、500W GaN功率放大器的电源调制器被引量：3
- 2021年
- 随着GaN功率放大器的发展,其工作电压和输出功率越来越大,对电源调制器的要求也越来越高。介绍了一种用于36 V、500 W GaN功率放大器的电源调制器模块。该模块基于自主研发的芯片组合设计而成,使用了一款50 V调制驱动器作为核心控制芯片,一款60 V高压PMOSFET作为调制开关,一款固定输出电压的线性稳压器,一款负压线性稳压器为功率放大器提供栅极偏置电压。经实验验证,该模块电路可以为36 V、500 W的GaN功率放大器提供稳定可靠的漏极控制电压及栅极偏置电压。此外,栅、漏电压上电时序受控,输出信号的上升、下降时间分别为16.3 ns和79.4 ns,能够很好地满足应用要求。
- 倪涛赵永瑞高业腾赵光璞谭小燕师翔
- 关键词：线性稳压器
- 高效率小型化S波段160W功率放大器载片研制被引量：2
- 2021年
- 为了解决S波段160 W高效率功率放大器载片的小型化问题,本文采用GaN HEMT芯片和无源匹配电路,在混合集成电路工艺的基础上,以及脉宽2 ms、占空比10%的条件下,得出2.7~3.5 GHz频带内输出功率大于165 W、功率增益12 dB、功率附加效率大于67%的性能指标,这一产品的外形尺寸为10 mm×8 mm,可广泛应用于多种电子系统,希望本文提出的研究方法可为后续同类产品的研制提供参考。
- 范国莹银军王毅李保第倪涛余若祺徐会博董世良
- X波段GaN千瓦级功率放大器的设计被引量：2
- 2023年
- 为满足新型雷达对千瓦级大功率放大器的需求,采用0.25μm GaN HEMT工艺研制了一款输出功率大于2000 W的X波段内匹配功率放大器。通过背势垒层结构与双场板结构提高器件击穿电压,使GaN HEMT管芯的工作电压达到60 V。通过负载牵引得到管芯最优阻抗,采用T型匹配网络和功率分配/合成器将管芯阻抗匹配到50Ω。在工作电压60 V、占空比1‰、脉宽5μs测试条件下,9.0~9.4 GHz频段内输出功率大于2000 W,最大功率密度达到10.4 W/mm,功率增益大于7 dB,功率附加效率大于37.2%。
- 斛彦生黄旭王毅李剑锋倪涛银军郭艳敏
- 关键词：大功率X波段内匹配功率合成
- 1 GHz~4 GHz 200 W超宽带GaN内匹配功率放大器的研究
- 2024年
- 采用砷化镓无源集成电路(GaAs IPD)和陶瓷薄膜无源电路相结合的匹配技术,实现覆盖L波段、S波段的超宽带功率放大器的内匹配设计。功率放大器集成封装于内腔尺寸为30.6 mm×27.3 mm×5.0 mm的金属陶瓷气密管壳内,实现在1 GHz~4 GHz频段内、工作电压为48 V、占空比为10%、脉宽为100μs的条件下,带内输出功率大于220 W、功率增益达9.5~10.8 dB、附加效率达43%~55%的性能指标。
- 吴志国银军余若褀闫国庆王毅倪涛斛彦生
- 关键词：内匹配超宽带
