张志勇
- 作品数：84 被引量：63H指数：5
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法
- 本发明公开了一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法，氧化钇直接作为碳基场效应晶体管的顶栅介质。以碳纳米管或石墨烯等碳基材料作为导电通道，在沟道区域生长一层金属钇薄膜，然后通过热氧化的方法将钇氧化为氧化钇，得到的氧化钇...
- 王振兴张志勇彭练矛王胜
- 一种基于碳纳米管的光电器件、光电集成电路单元及电路
- 本发明提出一种基于碳纳米管的光电器件，以碳纳米管作为导电通道，其一端具有高功函数金属电极，另一端具有低功函数金属电极，通过简单的结构即可实现多种功能器件，包括但不限于双极性场效应晶体管、无阻双极性二极管、发光二极管和光探...
- 彭练矛梁学磊张志勇王胜陈清
- RF SET超灵敏静电计
- 2003年
- 单电子晶体管 (SET)作为灵敏静电计的灵敏度受到噪声的限制 ,其中散粒噪声 (shotnoise)是本征噪声 ,决定着单电子晶体管灵敏度的极限 .利用射频 (radiofrequency ,RF)单电子晶体管的极高的工作频率 ,可以消除SET的 1/f噪声 ,从而达到极限灵敏度 .利用一级低温低噪声放大器和一级室温放大器放大工作在反射模式的射频单电子晶体管的输出信号 ,使用LC共振电路 ,抬高了SET右边的整个微波系统的阻抗 ,使之与单电子的输出阻抗匹配 ,从而提高了RFSET静电计的灵敏度 .
- 张志勇王太宏
- 关键词：灵敏度散粒噪声库仑阻塞电测量
- 碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其制备方法
- 本发明提供了一种碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其制备方法，该方法将碳纳米管平行阵列材料自组装在三维鳍状绝缘衬底表面，有效增加了单位器件宽度上碳纳米管的数目，从而显著增大了碳纳米管晶体管器件的驱动电流。与常规平面碳纳米管器...
- 邱晨光张盼盼张志勇彭练矛
- 纳米电子器件中的噪声及其应用研究被引量：4
- 2003年
- 对多种纳米材料和纳米器件的噪声进行了比较详细的研究,对纳米器件中几种常用的噪声测量方法进行了探讨。讨论了利用噪声(主要是散粒噪声)进行介观电学机制探测的方法,并提出了用于解决单电子晶体管中背景电荷噪声的有效方法,揭示了双势垒共振隧穿二极管在负微分电阻区的散粒噪声大于Poisson值的本质。
- 张志勇王太宏
- 关键词：纳米电子器件散粒噪声单电子晶体管碳纳米管热噪声
- 一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法
- 本发明提出一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，是利用当碳纳米管与金属接触时，半导体性碳纳米管会形成肖特基势垒，而金属性碳纳米管则不会，故半导体性碳纳米管接触形成的电阻更大，造成同样电压下半导体性碳纳米管电流比金属...
- 仲东来张志勇彭练矛王胜
- 一种基于半导体纳米材料的CMOS电路及其制备
- 本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子...
- 彭练矛梁学磊陈清张志勇王胜胡又凡姚昆
- 基于半导体纳米材料的等离激元增强光电探测器及其制备方法
- 本发明提供一种基于半导体纳米材料的等离激元增强光电探测器及其制备方法。该光电探测器以半导体纳米材料作为电极之间的导电沟道，至少一端的电极采用等离激元增强电极结构，该等离激元增强电极结构采用斧状周期结构。在制备该光电探测器...
- 黄慧鑫王胜张志勇彭练矛
- 碳纳米管薄膜的表面聚合物的去除方法及电子器件
- 本公开提供了一种碳纳米管薄膜的表面聚合物的去除方法，包括：在碳纳米管薄膜形成后或在制备基于碳纳米管薄膜的电子器件的过程中，通过含氢等离子体与碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物反应，以去除碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物。
- 董立军谢雨农张志勇彭练矛
- 高开关比的自对准双栅小带隙半导体晶体管及制备方法
- 本发明公开了一种高开关比的自对准双栅小带隙半导体晶体管及制备方法。该结构利用将漏端偏压反馈到辅栅，从而在漏端附近形成一个被钳位的方形势垒，使得大偏压下工作时能很好的抑制漏端少子反向隧穿，故能在保持无掺杂小带隙半导体顶栅器...
- 邱晨光张志勇彭练矛
