曹春芳
- 作品数：51 被引量：44H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理
- 2006年
- 采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。
- 吴惠桢曹萌劳燕锋刘成谢正生曹春芳
- 关键词：半导体刻蚀应变多量子阱
- 干法刻蚀对InAsP/InGaAsP应变多量子阱发光特性的影响
- 2007年
- 采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得到了明显的增强.这与干法刻蚀后量子阱覆盖层表面粗糙度变化及量子阱内部微结构变化有关.
- 曹萌吴惠桢劳燕锋刘成谢正生曹春芳
- 关键词：干法刻蚀应变量子阱光致发光谱
- 低温下GaSb基量子阱激光器的光电特性研究被引量：1
- 2020年
- 研究了GaSb基量子阱激光器在低温下的光电特性和功耗。实验结果表明8μm条宽激光器阈值电流Ith=12 mA,此时电压为3.46 V,功耗为41.52 mW;10μm条宽激光器阈值电流Ith=6 mA,此时电压为2.60 V,功耗为15.60 mW。在15 K下的光谱随着注入电流的增加发生红移,在8~10 mA内的光谱漂移为0.39 nm/mA,在10~20 mA内为0.02 nm/mA。在15~65 K范围内光谱随着注入温度的增加发生红移,光谱红移速度为0.316 nm/K。研究结果对GaSb基量子阱激光器的进一步应用具有重要意义。
- 李金友王海龙杨锦曹春芳赵旭熠龚谦
- 关键词：分子束外延电学特性
- 测量激光器内量子效率和内损耗的方法
- 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法，包括以下步骤：S1：在激光器光路上设置一外部光反馈装置；S2：将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面；通过改变外部光反馈...
- 汪洋龚谦柳庆博曹春芳成若海严进一李耀耀
- 离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响被引量：3
- 2008年
- 采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.
- 刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢
- 关键词：离子注入
- 应变对PbSe材料晶格振动的影响
- 本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学...
- 曹春芳吴惠桢徐天宁斯剑霄陈静沈文忠
- 关键词：拉曼光谱光学声子晶格失配
- GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法
- 本发明提供一种GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法，其特征在于利用Ga原子束流的变化使GaAs生长过程中交替出现富Ga和富As的表面，并记录表面再构变化的时间，最终通过求解表面富余原子总量的表达式，得...
- 龚谦王朋曹春芳丁彤彤
- 1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究
- 实验上研究了通过选择性湿法腐蚀方法制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电流限制孔径。对InP、InAlAs两种材料的侧向腐蚀试验表明,InAlAs的均匀性要优于InP,且考虑到长时间腐蚀中可能出现的塌陷问题,...
- 曹春芳劳燕锋吴惠桢曹萌刘成谢正生
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 测量激光器内量子效率和内损耗的方法
- 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法，包括以下步骤：S1：在激光器光路上设置一外部光反馈装置；S2：将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面；通过改变外部光反馈...
- 汪洋龚谦柳庆博曹春芳成若海严进一李耀耀
- InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究被引量：8
- 2019年
- 报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为62 mA时,激光器单模工作情况下的最大边模抑制比(SMSR)为29.8dB,在其他电流条件下该器件的边模抑制比也都大于20dB。激光器在单模工作时,器件最大输出功率(单面)达到12.5mW。对于具有相同结构和材料的FP腔激光器来说,在不同条宽或腔长的器件中都观察到上述单模工作特性。这一特性在一些单频激光的应用系统中具有较大的应用价值。
- 汤瑜曹春芳赵旭熠杨锦李金友龚谦王海龙
- 关键词：激光器量子阱激光器法布里-珀罗腔单模边模抑制比
