郭伟玲
- 作品数：197 被引量：533H指数：11
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法
- 一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法，属于半导体材料生长领域。首先利用化学气相沉积法在非金属衬底上生长一层石墨烯薄膜，再在石墨烯薄膜上溅射一层薄金属层，将生长有薄金属层的衬底再次进行石墨烯薄膜的CVD生长，生长...
- 孙捷樊星许坤郭伟玲徐晨邓军
- 隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管提取效率的计算
- 2006年
- 建立了发光二极管提取效率的理论计算模型,分析了影响隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管提取效率的主要因素,包括从出光表面出射的光、体内的光吸收损耗、衬底对光的吸收损耗、金属电极对光的吸收损耗,模拟计算了隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管的提取效率,计算得到隧道再生双有源区AlGaInP LED管芯的上有源区和下有源区提取效率分别为5．24％和9．16％。
- 田咏桃仉志华郭伟玲沈光地
- 关键词：铝镓铟磷发光二极管隧道结
- 一种基于伪失效寿命的LED可靠性快速评价方法被引量：9
- 2013年
- 提出一种快速评价LED可靠性的有效方法。通过测试LED样品的伪失效寿命,结合Minitab软件进行数据分析,确定全部样品的伪失效寿命服从二参数的威布尔分布。通过计算威布尔分布尺度参数,比较不同样品的尺度参数来评价产品的可靠性。该方法对LED的可靠性评价和寿命预测有一定的参考价值。
- 郭伟玲樊星崔德胜吴国庆俞鑫
- 关键词：发光二极管定时截尾试验威布尔分布
- 功率LED电压与温度关系研究
- 1、引言众所周知,大功率发光二极管(power light-emitting diodes)作为下一代发光技术的基石,具有发光效率高、使用寿命长、高可靠性等优点。但随着LED功率的增大,过多的热会堆积在有源区,影响LED...
- 毛德丰郭伟玲高国沈光地
- 关键词：INGAN温度关系注入电流正向压降
- VLSI金属化布线电徙动动力学温度相关性研究
- 1998年
- 电徙动失效是ＶＬＳＩ金属化系统的主要失效形式．本文提出了一种新型ＴｉＷ膜自加热结构，产生沿金属化条长方向的温度梯度．文中采用分别独立的的试验和测温金属条结构，利用电阻与温度间的线性关系精确确定金属条上的温度分布，首次从理论和实验上深入研究了电徙动失效与温度梯度间的动力学关系．实验结果表明，在２０～３５℃的温度梯度作用下，电徙动平均失效时间。
- 李志国郭伟玲朱红吉元程尧海孙英华张万荣
- 关键词：VLSI布线金属化
- 电流对功率LED性能的影响
- 1引言半导体照明光源具有节能、环保、安全、易驱动、体积小、寿命长、色彩丰富、可靠性高等优点,经过40多年的发展,发光效率和功率得到了大幅度的提高,1996年白光LED的研制成功使半导体照明光源备受瞩目,目前已被公认为是2...
- 郭伟玲尹飞崔碧峰丁天平闫薇薇崔德胜
- 关键词：LED光通量驱动电流电流变化半导体照明光源
- LED路灯老化特性的研究
- 1引言发光二极管(light emitting diode,简写为LED)光源具有节能、环保、寿命长、效率高等优点,被广泛应用于交通信号灯、应急照明、屏幕显示等诸多领域[1],随着光效、光通量的提高,高亮度白光LED在照...
- 郭伟玲丁天平崔德胜尹飞闫薇薇
- 关键词：LED光通量
- 高压LED芯片的研究进展被引量：3
- 2018年
- 高压发光二极管(high-voltage light-emitting diode)具有工作电压高、驱动电流小的特点,还有封装成本低、暖白光效高、高可靠性驱动、线路损耗低等优点,这使其得到了广泛的研究与应用。首先介绍了高压LED的基本原理,分类与结构;然后,着重从优化器件光电特性的角度,阐述了高压LED关键制备工艺的最新研究进展;并从失效机制和热特性方面阐述了高压LED的可靠性问题;最后,展望其发展与应用前景。
- 王嘉露郭伟玲李松宇杨新孙捷
- 关键词：可靠性
- LED的散热灯具
- 本发明提供了一种LED的散热灯具，涉及半导体光电子器件技术领域，具体包括LED芯片（11），金属基片（12），散热板（13），散热片（14），U形玻璃容器（15），导热液（16）以及绝缘胶（23），在出光侧的U形玻璃容器...
- 朱彦旭郭伟玲曹伟伟
- 新型隧道带间级联双波长半导体激光器被引量：4
- 2003年
- 提出了通过隧道带间级联实现半导体激光器有多个激射波长的新型物理思想 ,并以GaAs为隧道结 ,InGaAs应变量子阱为有源区 ,利用金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)生长了含有两个有源区的双波长半导体激光器。制备了 90 μm条宽的脊型波导器件结构 ,测试得到了能同时激射 95 1nm和 986nm两个波长的双波长半导体激光器 ,腔面未镀膜时的斜率效率达到了 1 12W A ,垂直远场为基模 ,水平方向发散角为 10° ,垂直方向发散角为 36°。
- 李建军沈光地郭伟玲廉鹏韩军邓军邹德恕
- 关键词：激光技术半导体激光器多波长金属有机物化学气相沉积
