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段宇波

作品数:3 被引量:10H指数:2
供职机构:清华大学机械工程学院机械工程系更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:金属学及工艺理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电阻率
  • 2篇透过率
  • 2篇溅射
  • 2篇ZAO薄膜
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇CBD
  • 1篇CDS薄膜

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇庄大明
  • 3篇张弓
  • 3篇段宇波
  • 2篇刘江
  • 2篇李春雷

传媒

  • 2篇中国表面工程

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
中频交流磁控溅射制备氧化锌铝(ZAO)薄膜的研究被引量:4
2010年
利用两种中频交流磁控溅射电源,溅射Al2O3含量为2%的两块氧化锌铝陶瓷靶材,在不同衬底温度的条件下制备得到了ZAO薄膜。研究了不同衬底温度条件下不同靶材和溅射电源对ZAO薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明,制备得到的ZAO薄膜均具有c轴择优取向生长的晶体结构,在衬底温度为240℃时,得到的ZAO薄膜的电阻率低至1.4×10-3Ω·cm,可见光平均透过率在82%以上。
刘江庄大明张弓李春雷段宇波
关键词:ZAO薄膜磁控溅射电阻率透过率
中频交流磁控溅射制备氧化锌铝(ZAO)薄膜的研究
利用两种中频交流磁控溅射电源,溅射Al2O3含量为2%的两块氧化锌铝陶瓷靶材,在不同衬底温度的条件下制备得到了ZAO薄膜。研究了不同衬底温度条件下不同靶材和溅射电源对ZAO薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明,制备得...
刘江庄大明张弓李春雷段宇波
关键词:ZAO薄膜磁控溅射电阻率透过率
文献传递
水浴温度对化学浴沉积CdS薄膜性能的影响被引量:6
2010年
采用化学浴沉积法(CBD)在硫酸镉、硫脲、氨水、氯化铵溶液体系中制备了CdS薄膜,研究了水浴温度对CdS薄膜的生长过程和物理性能的影响。试验表明,CdS薄膜的生长速率随着水浴温度提高而显著增加,薄膜从疏松变的致密,但是过高的水浴温度会导致表面晶粒变的粗糙;薄膜的结晶程度随着水浴温度提高而增强,择优取向明显;制得的CdS薄膜均有较高的光透过率,随着水浴温度的提高,薄膜厚度增加,透过率在波长560nm处出现峰值;所得薄膜均是富Cd的,且随着水浴温度的提高Cd含量也增加;薄膜的暗电导率约为10-5~10-4Ω-1cm-1,比光电导率小2~3个数量级,电导率与水浴温度没有明显对应关系。
段宇波张弓庄大明
关键词:CDS薄膜
共1页<1>
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