王际超
- 作品数：26 被引量：110H指数：6
- 供职机构：同济大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科委科技攻关项目上海市教育发展基金会晨光计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学轻工技术与工程文化科学更多>>
- 一种在水体系中低成本制备二氧化硅气凝胶的方法
- 本发明涉及一种在水体系中<B>低成本</B>制备二氧化硅气凝胶的方法，即以工业二氧化硅水溶胶为前躯体、去离子水为溶剂，以酸作为催化剂，通过不同方式干燥制备气凝胶。作为一种简单的制备方法，本发明大幅度降低了二氧化硅气凝胶的...
- 沈军李秀妍杜艾王际超孙丽俊张志华高国华
- 文献传递
- 纤维毡复合SiO_2气凝胶常压干燥法制备超低导热系数保温隔热材料被引量：6
- 2009年
- SiO2气凝胶由于其独特的纳米多孔结构及超低的导热系数引起人们广泛关注。以纤维毡为基材与SiO2气凝胶复合,经表面修饰和常压干燥制成的超低导热系数保温隔热材料,既保留了纯气凝胶独特的纳米孔结构及超低的导热系数,又大幅度提高了机械强度,扩展了其在保温隔热领域的应用。该材料常温常压下导热系数小于0.025W/(m·K),抗压强度大于2MPa,是一种新颖的优质保温隔热材料。
- 王虹倪星元汤人望李洋李荣年王际超沈军
- 关键词：纤维毡常压干燥保温隔热材料
- V2O5纳米棒在粘性碳基底上的电化学性能(英文)
- 2012年
- 通过溶胶-凝胶方法合成了V_2O_5纳米棒材料,采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)表征了材料的微观结构。采用交流阻抗法和恒流充放电测试对比研究了V_2O_5纳米棒材料和V_2O_5原料在传统电极和粘性碳电极上的电化学性能。结果表明传统电极制备方法适用于V_2O_5原料,而粘性碳基底适用于V_2O_5纳米棒材料。V_2O_5纳米棒粘性碳电极具有优于V_2O_5原料传统电极的充放电倍率性能。
- 杨辉宇吴广明高国华吴建栋周小卫王际超张丽峰冯伟张志华
- 关键词：V2O5纳米棒电化学性能
- 实验中心管理与发展模式研究被引量：24
- 2004年
- 从高校实验中心建立新型管理与发展模式的必要性入手,分析了高校实验中心建设中目前存在的问题,并提出高校实验中心必须创新管理与发展模式的理念,进而给出了建立新型实验中心管理与发展模式的相应对策。
- 徐剑邹华王际超
- 纳米多孔二氧化硅气凝胶的内表面操控及液相吸附性能
- 纳米二氧化硅气凝胶材料具有高通透性的三维纳米多孔空间网络结构,孔洞率达到90％以上,结构内比表面积达到500m2/g,最高可超过1000 m2/g。通过在制备过程中添加表面修饰剂,以及高温处理操控气凝胶的表面性质,分别得...
- 王博倪星元张志华沈军周斌吴广明王际超
- 关键词：溶胶凝胶表面修饰比表面积二氧化硅气凝胶
- 文献传递
- 用水玻璃制备高质量纳米多孔材料的研究
- 以低成本工业水玻璃为硅源,水为水解反应物及溶剂,分别采用一步催化法和两步催化法,通过溶胶-凝胶技术形成二氧化硅水凝胶;并采用三甲基氯硅烷(TMCS)和六甲基二硅醚(HMDSO)作为表面修饰剂,在常压条件下制备了低密度、低...
- 王际超倪星元沈军李洋王博张志华周斌吴广明
- 关键词：水玻璃溶胶法凝胶法表面修饰常压干燥纳米多孔材料
- 文献传递
- 常压干燥工艺制备SiO<,2>气凝胶保温材料
- SiO<,2>气凝胶由于其独特的纳米结构及应用领域引起人们广泛关注。阐述了SiO<,2>气凝胶的结构、制备和性能之间的联系以及与其他骨架材料的复合,较为详细的介绍了常压干燥原理及其制备气凝胶、复合材料在保温隔热方面的应用...
- 李洋倪星元王际超王博沈军
- 关键词：常压干燥二氧化硅气凝胶保温材料纳米多孔材料
- 文献传递
- 太阳能玻璃表面高强度双层减反膜制备研究被引量：12
- 2009年
- 用膜系设计软件设计了λ/4-λ/2的W型的双层减反射薄膜,优化了薄膜的光学常量,并使用溶胶-凝胶技术在玻璃基底上成功镀制了该双层折射率梯度的减反射薄膜.用椭圆偏振光谱仪、紫外-可见-近红外分光光度计、原子力显微镜等分析表征了薄膜的性能.结果表明,镀制了该双层薄膜的玻璃在400nm～800nm波段平均透过率增加了近6%,同时薄膜显示出了极佳的机械强度.
- 王晓栋沈军谢志勇王际超王博倪星元张志华
- 关键词：薄膜光学减反膜溶胶-凝胶法机械强度太阳能玻璃
- 真空吸滤干燥模具强度与刚度分析
- 2002年
- 根据纸浆模塑快餐具自动生产设备中热压模塑模具的特点和工作条件 ,采用有限元仿真法 ,利用Supersap5程序对模具进行了强度分析 ,给出相应的工作参数 ,从而确定模具工作时的受力状况 ,确定模具的薄弱点 。
- 罗跃纲王占国王际超
- 关键词：有限元仿真
- 杂质对(CdSe)_m/(ZnSe)_n应变半导体材料的影响
- 1999年
- 采用Ｔ．Ｂ－ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法，计算（ＣｄＳｅ）ｍ／ （ＺｎＳｅ）ｎ超田格应变半导体材料的总态密度、局域 态密度和分波态密度．论述了Ａｌ、Ｎａ、Ｏ、Ｐ等杂质及应变对（ＣｄＳｅ）ｍ ／（ＺｎＳｅ）ｎ超晶格应变半导体的 影响，并分析了相应状态下的要质能级，由此得出一些对新材料研究有重要参考价值的结论．
- 王际超张国英刘贵立
- 关键词：超晶格硒化镉硒化锌
