冯婧文
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院国防科技创新基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片被引量：2
- 2011年
- 报道了在钝化界面进行低能等离子体植氢优化的n+-on-p碲镉汞(HgCdTe)中波(MW,mid-wavelength)光伏红外探测芯片的研究成果.基于由采用分子束外延技术生长的HgCdTe薄膜材料,通过注入阻挡层的生长、注入窗口的光刻、形成光电二极管的B+注入、钝化介质膜的生长、优化钝化界面的等离子体植氢、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了钝化界面植氢优化的HgCdTe中波红外探测芯片.从温度为78K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现钝化界面植氢优化的HgCdTe红外中波探测芯片的光电二极管开启电压比未经过植氢处理的增加了50mV左右,零偏与反偏动态阻抗提高了10倍,且正向串连电阻也明显减小.这表明钝化界面等离子体植氢处理可以抑制HgCdTe中波光电二极管的暗电流和优化探测芯片的欧姆接触,从而能提高中波红外焦平面探测器的探测性能.
- 叶振华黄建尹文婷冯婧文陈洪雷陈路廖清君林春胡晓宁丁瑞军何力
- 关键词：HGCDTE暗电流
- MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵被引量：7
- 2011年
- 采用分子束外延(MBE)技术在表面生长碲化镉(CdTe)介质膜的p型碲镉汞(HgCdTe)材料,并通过离子注入区的光刻、暴露HgCdTe表面的窗口腐蚀、注入阻挡层硫化锌(ZnS)的生长、形成p-n结的B+注入、注入阻挡层的去除、绝缘介质膜ZnS的生长、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了原位CdTe钝化的n+-on-p平面型HgCdTe红外光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-v)和动态阻抗与电压(R-v)特性曲线中,发现原位CdTe钝化的光电二极管列阵的零偏动态阻抗比非原位CdTe钝化的提高了1～2倍,零偏压附近的反向偏压位置的动态阻抗极大值甚至提高了30～40倍.对于工作在反向小偏压附近的光电二极管列阵,原位CdTe钝化方法非常有利于提高长波光电二极管的探测性能.
- 叶振华黄建尹文婷胡伟达冯婧文陈路廖亲君陈洪雷林春胡晓宁丁瑞军何力
- 关键词：碲镉汞分子束外延
- HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰被引量：1
- 2012年
- 报道了HgCdTe长波离子注入n+-on-p型光电二极管列阵低能氢等离子体修饰的研究成果.基于采用分子束外延(MBE)技术生长的HgCdTe/CdTe薄膜材料,通过注入窗口的光刻与选择性腐蚀、注入阻挡层的生长、形成光电二极管的B+注入、光电二极管列阵的低能氢等离子体修饰、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了氢等离子体修饰的n+-on-p型HgCdTe长波光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现经过低能氢等离子体修饰的HgCdTe红外长波光电二极管列阵动态阻抗极大值比未经过修饰处理的提高了1～2倍,并在反向偏压大于动态阻抗极大值所处的偏压时动态阻抗得到更为明显的提升.这表明低能氢等离子体修饰可以抑制HgCdTe光电二极管列阵暗电流中的带带直接隧穿电流Ibbt和缺陷辅助隧穿电流Itat,从而能提高长波红外焦平面探测器工作的动态范围和探测性能的均匀性.
- 叶振华尹文婷黄建胡伟达冯婧文陈路廖亲君林春胡晓宁丁瑞军何力
- 关键词：暗电流
- 一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法
- 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大...
- 刘丹陈昱冯婧文周松敏曹菊英林春何高胤胡晓宁
- 一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法
- 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大...
- 刘丹陈昱冯婧文周松敏曹菊英林春何高胤胡晓宁
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