邱海宁
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：上海工程技术大学材料工程学院更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- PECVD法制备纳米晶硅薄膜的研究进展
- 2012年
- 简要介绍了纳米晶硅薄膜的微结构表征方法,重点讨论了PECVD制备方法中工艺参数对薄膜结构的影响,并探讨了氢在薄膜形成和生长中的作用。通过优化氢稀释率、衬底温度、反应气压、激励功率和激发频率等工艺参数可提高纳米晶硅薄膜的晶化率并改善薄膜质量。结合喇曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外光谱和高分辨透射电镜等表征方法可深入研究薄膜形成机理,对进一步探索薄膜光电特性有重要意义。分析了等离子体化学气相沉积(PECVD)制备方法中各工艺参数对薄膜质量和沉积速率的影响,指出其存在的问题,并探寻了今后的研究方向。
- 何佳邱海宁郑祺
- 关键词：纳米晶硅薄膜晶化率
- 激发频率对纳米晶硅薄膜微结构的影响
- 2012年
- 以SiH4和H2为气源,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了纳米晶硅薄膜,利用傅里叶变换红外光谱技术对不同激发频率下薄膜的微结构变化进行了研究.结果表明,薄膜中的氢含量(摩尔分数)和硅氢键合模式与激发频率有密切关系,提高激发频率可降低薄膜中的氢含量,并且硅氢键合以SiH2为主.
- 邱海宁何佳陈孟悦任超
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积激发频率
- 激发频率对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响被引量：3
- 2012年
- 为制备高质量的纳米晶硅薄膜,采用等离子体化学气相沉积方法,以硅烷、高纯氢为源气体,氢稀释率保持在98%,衬底温度200℃,反应气压100 Pa,沉积时间60 min,在射频频率分别为13.56、54.24 MHz下合成了纳米晶硅薄膜。利用Raman光谱和X射线衍射技术分析了样品,结果表明,高激发频率可促进薄膜从非晶硅到纳米晶硅的转化,有利于提高薄膜的晶化率,且晶粒具有各种晶体取向,没有出现择优生长。当激发频率从13.56 MHz升高到54.24 MHz时,晶化率相应从9%提高到72%。
- 何佳邱海宁
- 关键词：等离子体化学气相沉积晶化率
