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马瑾

作品数：110 被引量：391H指数：14
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 63篇期刊文章
  • 29篇专利
  • 14篇会议论文
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 50篇电子电信
  • 21篇一般工业技术
  • 13篇理学
  • 4篇电气工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程

主题

  • 32篇溅射
  • 31篇磁控
  • 31篇磁控溅射
  • 29篇透明导电
  • 23篇透明导电膜
  • 22篇衬底
  • 20篇单晶
  • 20篇单晶薄膜
  • 19篇射频磁控
  • 19篇射频磁控溅射
  • 17篇光电
  • 16篇金属
  • 15篇有机金属
  • 13篇有机金属化学
  • 12篇单晶结构
  • 12篇氧化锡
  • 12篇发光
  • 11篇光致
  • 11篇光致发光
  • 11篇SNO

机构

  • 110篇山东大学
  • 16篇山东师范大学
  • 3篇长安大学
  • 3篇莱阳农学院
  • 2篇青岛科技大学
  • 2篇青岛大学
  • 2篇泰山医学院
  • 2篇山东体育学院
  • 2篇淄博学院
  • 1篇济南大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国石油大学...
  • 1篇山东建材学院

作者

  • 110篇马瑾
  • 68篇马洪磊
  • 33篇计峰
  • 29篇栾彩娜
  • 22篇宗福建
  • 20篇肖洪地
  • 17篇张锡健
  • 13篇余旭浒
  • 12篇郝晓涛
  • 12篇王玉恒
  • 11篇杨帆
  • 10篇程传福
  • 10篇王卿璞
  • 9篇黄树来
  • 9篇薛成山
  • 8篇冯先进
  • 8篇孔令沂
  • 6篇叶丽娜
  • 6篇张德恒
  • 6篇李淑英

传媒

  • 15篇功能材料
  • 9篇Journa...
  • 7篇太阳能学报
  • 7篇物理学报
  • 4篇稀有金属材料...
  • 4篇山东大学学报...
  • 2篇中国科学（A...
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇稀有金属
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇中国科学（G...
  • 1篇班主任
  • 1篇半导体技术
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇山东电子
  • 1篇半导体光电
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇第二届高等教...

年份

  • 1篇2025
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 10篇2007
  • 8篇2006
  • 12篇2005
  • 16篇2004
  • 4篇2003
  • 7篇2002
共 110 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
二氧化锡纳米线的生长机理研究被引量：1
2007年
使用水平石英管式电炉，以二氧化锡和石墨的混合物为原材料、高纯氮气为载气，在850℃温度下用直接热蒸发法制备二氧化锡纳米线．衬底硅片的直径为10mm，其上覆盖一层5nm厚的金催化剂．原材料放在石英舟中，离原材料30mm的下风口处放置硅衬底，原材料和硅衬底都放置在石英管的中部电炉的恒温区内．用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）观察到二氧化锡的纳米线结构；X射线衍射（XRD）表明二氧化锡纳米线具有四方金红石结构；选区电子衍射（SAED）照片表明二氧化锡纳米线具有完善的晶体结构．不同生长时间下制备样品的扫描电子显微镜和透射电子显微镜照片再现了二氧化锡纳米线的生长过程，该纳米线的生长符合传统的VLS生长机制．
宗福建李立君崔晓东马洪磊马瑾张锡健计峰肖洪地
关键词：二氧化锡纳米线
ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(00...
余旭浒马瑾计峰王玉恒宗福建张锡健程传福马洪磊
关键词：磁控溅射ZNO:GA光电特性
有机薄膜衬底 ITO 透明导电膜的制备及光电特性的研究被引量：6
1998年
采用真空反应蒸发技术，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性进行了研究。制备的最佳薄膜在可见光范围的平均透过率达８４％，电阻率为８．２３×１０－４Ωｃｍ，载流子浓度为１．７２×１０２０ｃｍ－３。
马瑾李淑英马洪磊赵俊卿叶丽娜
关键词：ITO透过率电阻率载流子浓度
蒸发制备ZnO薄膜的结构及光学电学特性的研究被引量：11
1995年
以乙酸锌作为蒸发物质，采用真空蒸发技术，在加热的玻璃衬底上制备出高质量的ＺｎＯ透明导电薄膜，并对其结构、光学和电学特性进行了研究。
马瑾计峰马洪磊李淑英
关键词：氧化锌薄膜透过率电导率
锑掺杂对二氧化锡薄膜结构及发光性质的影响被引量：8
2008年
采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2∶Sb薄膜。所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜。PL谱表明,样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰,发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主-受主对之间的跃迁以及电子由其激发态向基态能级跃迁等因素有关。
计峰马瑾马洪磊
关键词：磁控溅射光致发光
一种沿[101]晶向生长的金红石结构钽掺杂氧化锡单晶薄膜及其制备方法
本发明涉及一种沿[101]晶向生长的金红石结构钽掺杂氧化锡单晶薄膜及其制备方法。本发明采用有机金属化学气相淀积(MOCVD)技术，以四乙基锡(Sn(C<Sub>2</Sub>H<Sub>5</Sub>)<Sub>4</S...
栾彩娜马瑾何林安
柔性衬底ITO导电膜的低温制备及特性研究被引量：7
2000年
用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ITO透明导电薄膜 ,对薄膜的低温制备 (80～ 2 4 0℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备的薄膜为多晶膜 ,具有纯三氧化二铟的立方铁锰矿结构 ,最佳取向为 (111)方向。薄膜在可见光区的最低电阻率为 6 .6 3× 10 - 4Ω·cm ,透过率达到 82 %。
马瑾赵俊卿叶丽娜田茂华马洪磊
关键词：柔性衬底透明导电膜ITO薄膜
采用射频磁控溅射法在Si（111）衬底上生长β-Ga2O3薄膜
采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上直接沉积β-Ga2O3薄膜。通过X射线衍射光谱(XRD),原子力显微镜(AFM)和傅立叶红外吸收光谱(FT-IR) 研究了β-Ga2O3薄膜的生长和结构与退火温度之间的关系。实验结...
肖洪地马洪磊杨光马瑾林兆军宗福建张锡健栾彩娜
关键词：射频磁控溅射温度
一种镓掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法
一种镓掺杂的氧化物透明导电薄膜材料的制备方法，属于光电子信息功能材料技术领域。在ZnO薄膜中进行镓掺杂，用偏压射频磁控溅射技术在真空条件下，在有机聚合物薄膜衬底上室温制备出具有多晶结构的ZnO:Ga透明导电膜，溅射用陶瓷...
马瑾
一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法
本发明涉及一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法。该方法包括采用MOCVD法，以四乙基锡和乙醇铌为金属有机源，以氧气为氧化气体，氮气作为载气，在真空条件下在氟化镁衬底上生长铌掺杂氧化锡单晶薄膜。该氧化锡薄膜是具有单晶...
栾彩娜马瑾何林安
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