肖洪地
- 作品数：53 被引量：123H指数：6
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金山东大学青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程理学更多>>
- 一种具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN基蓝光发光二极管的制备方法
- 本发明涉及一种具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN基蓝光发光二极管的制备方法。该方法首先采用电化学刻蚀法，以生长在c‑面蓝宝石衬底上的GaN/n‑GaN周期性结构为阳极，以Pt丝为阴极，在硝酸、草酸或氢氟酸酸性...
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- 二氧化锡纳米线的生长机理研究被引量：1
- 2007年
- 使用水平石英管式电炉，以二氧化锡和石墨的混合物为原材料、高纯氮气为载气，在850℃温度下用直接热蒸发法制备二氧化锡纳米线．衬底硅片的直径为10mm，其上覆盖一层5nm厚的金催化剂．原材料放在石英舟中，离原材料30mm的下风口处放置硅衬底，原材料和硅衬底都放置在石英管的中部电炉的恒温区内．用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）观察到二氧化锡的纳米线结构；X射线衍射（XRD）表明二氧化锡纳米线具有四方金红石结构；选区电子衍射（SAED）照片表明二氧化锡纳米线具有完善的晶体结构．不同生长时间下制备样品的扫描电子显微镜和透射电子显微镜照片再现了二氧化锡纳米线的生长过程，该纳米线的生长符合传统的VLS生长机制．
- 宗福建李立君崔晓东马洪磊马瑾张锡健计峰肖洪地
- 关键词：二氧化锡纳米线
- 一种基于p型铟酸亚铜单晶薄膜的自驱动日盲光电探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种基于p型铟酸亚铜单晶薄膜的自驱动日盲光电探测器及其制备方法。所述自驱动日盲光电探测器包括衬底，衬底上方设置有n型宽带隙半导体单晶薄膜，所述n型宽带隙半导体单晶薄膜上方设置有p型铟酸亚铜单晶薄膜和第一电极，p...
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- 基于成果为本的留学生医学物理教学改革探索
- 2016年
- 传统的临床医学专业留学生医学物理教学模式已经不适应高素质、与国际接轨人才培养的需求,教学改革已成为广大教育工作者的共识.成果为本的教育理论是起源于北美的一种课程设计和教学方法,是以学生学习成果为导向来设计课程、教学和考核机制,进而对教学效果进行评估的教学模式.本文通过分析留学生医学物理传统教学中存在的问题,以成果为本理论为指导,辅之以建构性配合理论,对以学生学习成果为导向的留学生医学物理课程教学模式进行探索和实践,期望达成高层次的学习成果.
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- 关键词：留学生医学物理全英语教学
- 退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响
- 2004年
- 采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0 84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.
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- 关键词：AFMXRD退火
- 退火温度对低温生长Mg_xZn_(1-x)O薄膜光学性质的影响被引量：1
- 2006年
- 用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0·16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜.
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰
- 关键词：射频磁控溅射退火
- 深油井超声探测用的压电陶瓷换能器的研究
- 2002年
- 超声压电陶瓷换能器可以探测5000m以下深处的地质结构和油井固实程度。用于压电陶瓷换能器的PT-PSN陶瓷性能参数是,Tc=380oC,kt=45%,εr=420,tanδ=1.5%,Qm=2200,Ec=733V/mm。经实验测量和现场试验表明,在温度高达200oC时压电陶瓷换能器的性能稳定,测量精度高。
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- 关键词：超声探测压电陶瓷换能器测井
- 氮化镓粉末和薄膜的制备、结构和特性研究
- 本文主要研究用氮化法制备GaN粉末和在St（111）和石英衬底上直接溅射GaN薄膜，给出了两种方法制备GAN样品的实验过程，较系统地研究了粉末和薄膜的结构、组分，表面形貌和发光特性，并且探讨了GaN材料的生长机制。另外，...
- 肖洪地
- 关键词：氮化镓薄膜半导体材料
- 硅氧烷表面活性剂(Ⅳ)(续3)涂料添加剂被引量：4
- 1998年
- 在涂料生产和加工过程中，作为助剂的硅氧烧表面活性剂，即可作为流动改善剂、润湿剂、防滑剂、防刮痕剂和脱气剂，又在新涂料系列配方中成为不可缺少的助剂。由此，它们可通过改性来适应各种应用的需要。
- 李干佐肖洪地刘少杰宫瑞敏
- 关键词：硅氧烷表面活性剂涂料助剂
- TiO_2-V_2O_5陶瓷的复合特性研究被引量：2
- 2003年
- 报道了TiO2-V2O5陶瓷的制备工艺和复合功能特性的研究结果。该陶瓷使用传统的陶瓷工艺制备,并测量了其性能参数。该陶瓷具有复合功能特性,即半导体特性、介电特性和压敏特性。用TiO2-V2O5陶瓷可以制备复合功能陶瓷器件。
- 肖洪地王成建
- 关键词：陶瓷介电特性压敏特性
